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ADM101EARM	文件：200.05 Kbytes Page：12 Pages	丝印：M01；Package：MSOP；Craft Port™ Tiny RS-232 Transceiver for Portable Applications FEATURES 460 kbit/s Transmission Rate Single 5 V Power Supply Compatible with RS-232 Input/Output Levels 0.1 μF Charge Pump Capacitors One Driver and One Receiver On-Board DC-DC Converter ±4.2 V Output Swing with 5 V Supply Low Power BiCMOS: 500 μA ICC Ultralow Power (1 μA) Shutdown Mode 文件：200.05 Kbytes 页数：12 Pages	AD 亚德诺	AD
ADM101EARM-REEL	文件：200.05 Kbytes Page：12 Pages	丝印：M01；Package：MSOP；Craft Port™ Tiny RS-232 Transceiver for Portable Applications FEATURES 460 kbit/s Transmission Rate Single 5 V Power Supply Compatible with RS-232 Input/Output Levels 0.1 μF Charge Pump Capacitors One Driver and One Receiver On-Board DC-DC Converter ±4.2 V Output Swing with 5 V Supply Low Power BiCMOS: 500 μA ICC Ultralow Power (1 μA) Shutdown Mode 文件：200.05 Kbytes 页数：12 Pages	AD 亚德诺	AD
ADM101EARM-REEL7	文件：200.05 Kbytes Page：12 Pages	丝印：M01；Package：MSOP；Craft Port™ Tiny RS-232 Transceiver for Portable Applications FEATURES 460 kbit/s Transmission Rate Single 5 V Power Supply Compatible with RS-232 Input/Output Levels 0.1 μF Charge Pump Capacitors One Driver and One Receiver On-Board DC-DC Converter ±4.2 V Output Swing with 5 V Supply Low Power BiCMOS: 500 μA ICC Ultralow Power (1 μA) Shutdown Mode 文件：200.05 Kbytes 页数：12 Pages	AD 亚德诺	AD
EM6M1	文件：98.38 Kbytes Page：7 Pages	丝印：M01；Package：EMT6；2.5V Drive NchPch MOSFET 文件：98.38 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
PJM2301PSA	文件：1.41409 Mbytes Page：8 Pages	丝印：M01；Package：SOT-23；P- Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：1.41409 Mbytes 页数：8 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
US6M1	文件：87.92 Kbytes Page：8 Pages	丝印：M01；Package：TUMT6；Small switching 文件：87.92 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
US6M1	文件：113.63 Kbytes Page：8 Pages	丝印：M01；Package：TUMT6；4V2.5V Drive NchNch MOSFET 文件：113.63 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
VT6M1	文件：1.33167 Mbytes Page：9 Pages	丝印：M01；Package：VMT6；1.2V Drive Nch Pch MOSFET 文件：1.33167 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
M01N60	文件：174.41 Kbytes Page：5 Pages	N Channel MOSFET [STANSON TECHNOLOGY] Robust High Voltage Temination. Avalanche Energy Specified Source-to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode Diode is Characterized for Use in Bridge Circurits IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature 文件：174.41 Kbytes 页数：5 Pages	STANSON 司坦森	STANSON
M01X	文件：475.3 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：475.3 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

产品属性

产品编号：
ADM101EARM
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
集成电路（IC） > 驱动器，接收器，收发器
包装：
管件
类型：
收发器
协议：
RS232
驱动器/接收器数：
1/1
双工：
完全版
数据速率：
460Kbps
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装：
10-MSOP
描述：
IC TRANSCEIVER FULL 1/1 10MSOP

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