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US6M11TR

ROHM/罗姆明嘉莱只做原装正品现货

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ROHMTUMT6

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US6M11TR

ROHM/罗姆SMD

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ROHM/罗姆SOT-363

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ROHM/罗姆全新特价US6M1即刻询购立享优惠#长期有货

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ROHMSOT-363T

36800

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原装优势主营型号-可开原型号增税票

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ROHM/罗姆SOT-363

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深圳市凯睿晟科技有限公司

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Bychip/百域芯SOT-363

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SMDNA

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深圳市威尔健半导体有限公司

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ROHM/罗姆SOT-363

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ROHMSOT163

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ROHM/罗姆TUMT6

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ROHM/罗姆SOT-363

4935

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全新原装正品支持含税

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ROHM/罗姆TUMT6

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ROHMSOT-363

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ROHMsot363

50000

2023+

原装现货

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Bychip/百域芯SOT-363

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ROHM/罗姆SOT-363

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20+

只做原装 可免费提供样品

深圳市南科功率半导体有限公司

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NK/南科功率SOT-363T

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US6M11TR价格：￥1.0988品牌：Rohm

生产厂家品牌为Rohm的US6M11TR多少钱，想知道US6M11TR价格是多少？参考价：￥1.0988。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，US6M11TR批发价格及采购报价，US6M11TR销售排行榜及行情走势，US6M11TR报价。

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US6M1制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching

US6M1_1制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V+2.5V Drive Nch+Nch MOSFET

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US6M11_09制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch+Pch MOSFET

US6M11TR功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR

US6M1TR功能描述:MOSFET N+P 30 20V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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