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LX5560LRF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

LX5560L
厂商型号

LX5560L

参数属性

LX5560L 封装/外壳为12-XFQFN 裸露焊盘;包装为散装;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP 4.9GHZ-6GHZ 12QFN

功能描述

InGaAs - E-Mode pHEMT Low Noise Amplifier

封装外壳

12-XFQFN 裸露焊盘

文件大小

179.59 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

MICROSEMI美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-3 8:14:00

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LX5560L规格书详情

DESCRIPTION

The LX5560 is a low noise amplifier (LNA) for WLAN applications in the 4.9-6.0 GHz frequency range. This LNA is manufactured with an InGaAs Enhancement mode pseudomorphic HEMT (E-pHEMT) process.

It operates with a single positive voltage supply of 3.3V, with noise figure(NF) of 1.7dB while maintaining input third order intercept point(IIP3) of up to +6dBm.

KEY FEATURES

◾ 0.5µm InGaAs E-mode pHEMT

◾ 4.9 - 6GHz Operation

◾ Single 3.3V Supply

◾ Gain ~ 12dB

◾ Noise Figure ~ 1.7dB

◾ Input IP3 ~ +6dBm

◾ Input P1dB ~ +2dBm

◾ On-Chip Bias Circuit

◾ On-Chip Input Match

◾ Simple Output Match

◾ 2x2mm² MLPQ 12 Pin

◾ Low Profile 0.5mm

APPLICATIONS

◾ Wireless LAN 802.11a

◾ WiMax

产品属性

  • 产品编号:

    LX5560LL-13115-TR

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    散装

  • 频率:

    4.9GHz ~ 6GHz

  • 增益:

    12dB

  • 噪声系数:

    1.7dB

  • 电压 - 供电:

    3.3V

  • 电流 - 供电:

    9.5mA

  • 测试频率:

    5.25GHz ~ 5.5GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    12-XFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    12-QFN(2x2)

  • 描述:

    IC RF AMP 4.9GHZ-6GHZ 12QFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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