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SS5512F-PJ	文件：558.96 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifier	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
STI5512	文件：110.68 Kbytes Page：2 Pages	HIGHRELIABILITYFORLOWCOSTWIDEFREQUENCYRANGE	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SZ5512	文件：477.223 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SZ5512	文件：476.733 Kbytes Page：2 Pages	3W12VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SZ5512	文件：229.74 Kbytes Page：3 Pages	3WSiliconZenerDiodes Features ◇CompleteVoltageRange3.9to200Volts ◇Highpeakreversepowerdissipation ◇Highreliability ◇Lowleakagecurrent	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SZ5512	文件：446.06 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODE	YINTShanghai Yint Electronic Co., Ltd 音特电子上海音特电子有限公司	YINT
SZ5512	文件：80.42 Kbytes Page：2 Pages	3WattsSurfaceMountZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange3.9to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SZ5512	文件：47.64 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ5512	文件：28.55 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ5512	文件：147.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES Features Lowleakagecurrent Highreliability Highpeakreversepowerdissipation CompleteVoltageRange3.9to200Volts	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

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详细参数

型号：
LX5512E-LQ
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
InGaP HBT 2.4 - 2.5 GHz Power Amplifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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