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UPC1678	文件：126.21 Kbytes Page：6 Pages	2GHzMEDIUMPOWERBROADBANDSILICONMMICAMPLIFIER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC1678	文件：94.35 Kbytes Page：16 Pages	5V-BIAS,7.5dBmOUTPUT,2.0GHzWIDEBANDSiMMICAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC1678Gisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasmediumoutputpoweramplifierforhighfrequencysystemapplications.Dueto+17.5dBmTYP.outputat2GHz,thisICisrecommendablefortransmitterstageamplifierofLBANDwirelesscommunicationsystems.ThisIC	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC1678G	文件：94.35 Kbytes Page：16 Pages	5V-BIAS,7.5dBmOUTPUT,2.0GHzWIDEBANDSiMMICAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC1678Gisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasmediumoutputpoweramplifierforhighfrequencysystemapplications.Dueto+17.5dBmTYP.outputat2GHz,thisICisrecommendablefortransmitterstageamplifierofLBANDwirelesscommunicationsystems.ThisIC	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC1678GV	文件：461.82 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ·Supplyvoltage:VCC=4.5to5.5V ·Saturatedoutputpower:PO(sat)=+17.5dBmTYP.@f=500MHzwithexternalinductor ·Widebandresponse:fu=2.0GHzTYP.@3dBdownbelowthegainat0.1GHz ·Powergain:GP=23dBTYP.@f=500MHz ·Isolation:ISL=35dBTYP.@f	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC1678GV	文件：340.64 Kbytes Page：7 Pages	2GHzMEDIUMPOWERBROADBANDSILICONMMICAMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC1678GV	文件：94.35 Kbytes Page：16 Pages	5V-BIAS,7.5dBmOUTPUT,2.0GHzWIDEBANDSiMMICAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC1678Gisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasmediumoutputpoweramplifierforhighfrequencysystemapplications.Dueto+17.5dBmTYP.outputat2GHz,thisICisrecommendablefortransmitterstageamplifierofLBANDwirelesscommunicationsystems.ThisIC	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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