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UPA1717

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION TheµPA1717isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−3A) RDS(on)2=59mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−3A) •LowCiss:Ciss=830

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPA1717

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mWMAX.(VGS=-10V,ID=-3A) RDS(on)2=59mWMAX.(VGS=-4.5V,ID=-3A) ·LowCiss:Ciss=830pFTYP. ·Built-inG-Sprotectiondiode ·Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA1717G

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mWMAX.(VGS=-10V,ID=-3A) RDS(on)2=59mWMAX.(VGS=-4.5V,ID=-3A) ·LowCiss:Ciss=830pFTYP. ·Built-inG-Sprotectiondiode ·Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP

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UPA1717G

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION TheµPA1717isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−3A) RDS(on)2=59mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−3A) •LowCiss:Ciss=830

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更多LUCENT1717CBH供应商 更新时间2025-5-18 9:16:00