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MCH6342	文件：533.78 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •1.8Vdr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6342	文件：1.05712 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MCH6342-TL-H	文件：533.78 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •1.8Vdr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6342-TL-W	文件：533.78 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •1.8Vdr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MHW6342	文件：60.35 Kbytes Page：2 Pages	77-Channel(550MHz)CATVAmplifier TheRFLine 77-Channel(550MHz)CATVAmplifier ...designedspecificallyfor550MHzCATVapplications.Featuresion–implantedarsenicemittertransistorswith7GHzfTandanallgoldmetallizationsystem. •Specifiedfor77–ChannelPerformance •BroadbandPowerGain-@f=40–550MHz	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MHW6342TN	文件：162.44 Kbytes Page：4 Pages	CATVAmplifierModule Description •24VdcSupply,40to550MHz,CATVForwardAmplifierModule •ReplacedMHW6342T.Therearenoform,fitorfunctionchangeswiththispartreplacement. •RoHSCompliant Features •Specifiedfor77-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •SuperiorGain,ReturnLoss	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
NJU6342	文件：308.05 Kbytes Page：4 Pages	TRI-STATEBUFFER	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJU6342XC	文件：308.05 Kbytes Page：4 Pages	TRI-STATEBUFFER	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJU6342XE	文件：308.05 Kbytes Page：4 Pages	TRI-STATEBUFFER	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NX6342EP	文件：202.04 Kbytes Page：7 Pages	LASERDIODE1310nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODEFOR10Gb/sBASE-LR/LWAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6342EPisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD. FEATURES •OpticaloutputpowerPO=8.5mW •LowthresholdcurrentIth=8mA •Differentialefficiencyηd=0.23W/A •Wideoperatingtemperatur	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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