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BCM5836P	文件：111.88 Kbytes Page：2 Pages	24-PORTGIGABITETHERNETMULTILAYERSWITCH OVERVIEW TheBCM56500isthefifthgenerationofthehighly-integratedandcosteffectiveStrataSwitchandStrataXGSproductlineinasingle-chipsolutionwith24-GbEports.TheBCM56500incorporates24-GbEportsthatcanoperate10/100/1000Mbps. Withhigh-integrationandhigh-portdensity,the	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM5836P	文件：203.58 Kbytes Page：2 Pages	24-PORTGbEMULTILAYERSWITCHWITHFOUR10GbE/HiGigPORTS	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM5836P	文件：172.89 Kbytes Page：2 Pages	FOUR-PORT10-GBE/HIGIGMULTILAYERSWITCH	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM5836P	文件：177.12 Kbytes Page：2 Pages	24-PORTGbEMULTILAYERSWITCHWITHTHREE10-GbE/HiGigPORTS	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM5836P	文件：160.88 Kbytes Page：2 Pages	24-PORTGIGABITETHERNETMULTILAYERSWITCH	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM5836P	文件：178.79 Kbytes Page：2 Pages	FOUR10-GIGABITETHERNET/HIGIGPORTS	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM5836P	文件：192.69 Kbytes Page：2 Pages	24-PORTGIGABITETHERNETMULTILAYERSWITCH	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
MCH5836	文件：68.92 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFETOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithanP-channelsiliconMOSFET(MCH3307)andaschottkybarrierdiode(SS10015M)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. •[MOSFET] •LowON-resistance. •1.8Vdrive. •[SB	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SZ5836	文件：88.42 Kbytes Page：2 Pages	5.0WATT6.8-270VOLTSZENERDIODES	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
UZ5836	文件：452.07 Kbytes Page：1 Pages	ElectricalSpecificationsat25oC ZenerDiodes ElectricalSpecificationsat25°C	AMMSEMIAmerican Microsemiconductor 美国微半导体有限公司	AMMSEMI

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更多LTC5836WC供应商更新时间2025-5-20 15:30:00

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