LTC4446中文资料高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器数据手册ADI规格书

描述 Description

LTC®4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 0.55Ω 的输出阻抗。 LTC4446 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。 LTC4446 包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。 LTC4446 采用耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装。 LTC4446 不具备自适应贯通保护功能。如需了解具自适应贯通保护功能的相似驱动器，请查阅下表。 参数 LTC4446 LTC4444 LTC4444-5 贯通保护功能 无 有 有 绝对最大TS 100V 100V 100V MOSFET 栅极驱动电压 7.2V 至 13.5V 7.2V 至 13.5V 4.5V 至 13.5V VCC UV+ 6.6V 6.6V 4V VCC UV– 6.15V 6.15V 3.5V Applications 分布式电源架构 汽车电源 高密度电源模块 电信系统

特性 Features

• 自举电源电压高至 114V

• 宽 VCC 电压：7.2V 至 13.5V

• 2.5A 峰值顶端栅极上拉电流

• 3A 峰值底端栅极上拉电流

• 1.2Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻

• 0.55Ω 底端栅极驱动器下拉电阻

• 5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载

• 8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载

• 3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载

• 6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载

• 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET

• 具欠压闭锁功能

• 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装

简介

LTC4446属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的LTC4446栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。