100V Half-Bridge GaN Driver with Smart Integrated Bootstrap Switch

GENERAL DESCRIPTION The LT8418 is a 100V half-bridge GaN driver that integrates top and bottom driver stages, driver logic control, and protections. It can be configured into synchronous half-bridge, full-bridge topologies, or buck, boost, and buck-boost topologies. The LT8418 provides strong cur

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High Voltage High Side/Low Side N-Channel MOSFET Driver

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High Side Micropower MOSFET Driver Fully Enhances N-Channel Power MOSFETs

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N-Channel MOSFET Gate Driver Available in SO-8 and 10-Lead MSOP

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100V Half-Bridge Driver with Floating Grounds and Adjustable Dead-Time

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高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器

LTC®4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 0.55Ω 的输出阻抗。 LTC4446 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。 LTC4446 包含欠压闭 • 自举电源电压高至 114V \n\n• 宽 VCC 电压：7.2V 至 13.5V \n\n• 2.5A 峰值顶端栅极上拉电流 \n\n• 3A 峰值底端栅极上拉电流 \n\n• 1.2Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻 \n\n• 0.55Ω 底端栅极驱动器下拉电阻 \n\n• 5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载 \n\n• 8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载 \n\n• 3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载 \n\n• 6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载 \n\n• 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET \n\n• 具欠压闭锁功能 \n\n• 耐热增强型 ;

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High Voltage High Side/ Low Side N-Channel MOSFET Driver

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High Voltage High Side/Low Side N-Channel MOSFET Driver

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