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LTC1255数据手册集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF

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厂商型号

LTC1255

参数属性

LTC1255 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

功能描述

双通道、24V 高压侧 MOSFET 驱动器
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-14 22:58:00

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LTC1255规格书详情

描述 Description

LTC®1255 双通道高压侧驱动器允许在高压侧工业和汽车开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至高于正电源轨,从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。低功率操作 (具有 12μA 待用电流) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现较高的效率。

在该芯片内集成了独立的过流检测功能电路,以在发生短路的情况下提供自动停机。可以给电流检测增添一个延时,以防止在高浪涌电流负载上引起误触发。

LTC1255 采用 9V 至 24V 电源供电工作,而且非常适合工业和汽车应用。

LTC1255 可提供 8 引脚 DIP 封装和 8 引脚 SOIC 封装。

特性 Features

• 全面强化了 N 沟道功率 MOSFET

• 12μA 待用电流

• 可在 9V 至 24V 的电源电压范围内工作

• 短路保护

• 可容易地提供针对电源瞬变的保护

• 受控接通和关断时间

• 无外部充电泵组件

• 可兼容标准逻辑器件系列

• 采用 8 引脚 SOIC 封装

简介

LTC1255属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的LTC1255栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    LTC1255CS8#PBF

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    高端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    9V ~ 24V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 输入类型:

    非反相

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SO

  • 描述:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

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