LTC1157数据手册集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF

描述 Description

LTC®1157 双通道 3.3V 微功率 MOSFET 栅极驱动器使得能够通过一个低 RDS(ON) N 沟道开关 (在 3.3V 时需要采用 N 沟道开关，因为 P 沟道 MOSFET 在 VGS ≤ 3.3V 时不具备有保证的 RDS(ON)) 切换电源或接地参考负载。LTC1157 的内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上达 5.4V (比地电位高 8.7V)，从而全面地强化了一个逻辑电平 N 沟道开关 (对于 3.3V 高压侧应用) 和一个标准 N 沟道开关 (对于 3.3V 低压侧应用)。在 5V 时的栅极驱动电压通常高于电源达 8.8V (比地电位高 13.8V)，因此标准 N 沟道 MOSFET 开关可用于高压侧和低压侧应用。 

微功率操作 (具有 3μA 待用电流和 80μA 工作电流) 使 LTC1157 非常适合电池供电型应用。

LTC1157 可提供 8 引脚 DIP 封装 SOIC 封装。

特性 Features

• 可提供最低压降 3.3V 电源切换

• 可依靠 3.3V 或 5V 标称电源工作

• 3μA 待用电流

• 80μA 导通电流

• 驱动低成本 N 沟道功率 MOSFET

• 无外部充电泵组件

• 受控接通和关断时间

• 可兼容 3.3V 或 5V 逻辑器件系列

• 采用 8 引脚 SOIC 封装

简介

LTC1157属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的LTC1157栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。