3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver

文件：221.81 Kbytes 页数：8 Pages

LINER

凌力尔特

High Speed Single/Dual N-Channel MOSFET Drivers

文件：247.61 Kbytes 页数：20 Pages

LINER

凌力尔特

3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver

文件：207 Kbytes 页数：8 Pages

LINER

凌力尔特

3.3V、双通道、微功率、高压侧 / 低压侧 MOSFET 驱动器

LTC®1157 双通道 3.3V 微功率 MOSFET 栅极驱动器使得能够通过一个低 RDS(ON) N 沟道开关 (在 3.3V 时需要采用 N 沟道开关，因为 P 沟道 MOSFET 在 VGS ≤ 3.3V 时不具备有保证的 RDS(ON)) 切换电源或接地参考负载。LTC1157 的内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上达 5.4V (比地电位高 8.7V)，从而全面地强化了一个逻辑电平 N 沟道开关 (对于 3.3V 高压侧应用) 和一个标准 N 沟道开关 (对于 3.3V 低压侧应用)。在 5V 时的栅极驱动电压通常高于电源达 8.8V (比地电位高 13.8V)，因此标准 • 可提供最低压降 3.3V 电源切换\n\n• 可依靠 3.3V 或 5V 标称电源工作\n\n• 3μA 待用电流\n\n• 80μA 导通电流\n\n• 驱动低成本 N 沟道功率 MOSFET\n\n• 无外部充电泵组件\n\n• 受控接通和关断时间\n\n• 可兼容 3.3V 或 5V 逻辑器件系列\n\n• 采用 8 引脚 SOIC 封装;

ADI

亚德诺

3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver

文件：207 Kbytes 页数：8 Pages

LINER

凌力尔特

3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver

文件：221.81 Kbytes 页数：8 Pages

LINER

凌力尔特

3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver

文件：221.81 Kbytes 页数：8 Pages

LINER

凌力尔特

3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver

文件：221.81 Kbytes 页数：8 Pages

LINER

凌力尔特

Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

AD

亚德诺

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

AD

亚德诺