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MPS929	文件：169.12 Kbytes Page：5 Pages	AMPLIFIERTRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR NPNSILICON	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
NTE929	文件：23.92 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitGeneralPurpose,HighCurrent,NPNTransistorArray Description: TheNTE929isaversatilearrayoffivehigh–current(to100mA)NPNtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.Inaddition,twoofthesetransistors(Q1andQ2)arematchedatlowcurrents(i.e.1mA)forapplicationsinwhichoffsetparametersareofspecialimportance. Independe	NTE NTE Electronics	NTE
PC929	文件：95.46 Kbytes Page：6 Pages	ShortcircuitProtectorCircuitBuilt-inPhotocouplerSuitableforInverter-DrivingMOS-FET/IGBT ❈TÜV(VDE0884)approvedtypeisalsoavailableasanoption. Features 1.Built-inIGBTshortcircuitprotectorcircuit 2.Built-indirectdrivecircuitforIGBTdrive(Peakoutputcurrent...IO1P,IO2P:MAX.0.4A) 3.Highspeedresponse(tPLH,tPHL:MAX.0.5µs) 4.Highisol	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
RK929CD	文件：86.84 Kbytes Page：2 Pages	thickfilmresistorsforhighvoltage	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
RWS-PO929	文件：606.42 Kbytes Page：2 Pages	ReceiverModule	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
SIA929DJ	文件：145.78 Kbytes Page：7 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIA929DJ	文件：301.1 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIIIpowerMOSFET •ThermallyenhancedPowerPAK® SC-70package -Smallfootprintarea -Lowon-resistance •100Rgtested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Loadswitchandbatterymana	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIA929DJ	文件：301.14 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
THC929	文件：77.93 Kbytes Page：1 Pages	BIOPOLARTRANSISTORCHIPS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

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