LT1169数据手册ADI中文资料规格书

描述 Description

LT®1169 为双通道 JFET 运放创立了一种新的卓越噪声性能标准。这是一次同时拥有了低电压噪声 (6nV/√Hz) 和极低的电流噪声 (1fA/√Hz)，从而为高阻抗换能器应用提供了最低的总噪声。和大多数 JFET 运放不同，LT1169 在整个共模范围内保持了非常低的输入偏置电流 (典型值为 5pA)，这导致一个极高的输入电阻 (1013 Ω)。当与一个非常低的输入电容 (1.5pF) 相组合时，产生一个极高的输入阻抗，因而使得 LT1169 成为用于放大来自高阻抗换能器之低电平信号的优选。另外，当缓冲来自高阻抗换能器的AC 信号时，低输入电容还可确保高的增益线性度。

对于数值为 1 或更大的增益，LT1169 可实现无条件稳定，即使在容性负载为 1000pF 时也不例外。该器件的其他主要特点包括 0.6mV VOS 和一个数值超过 4,000,000 的电压增益。每个个别放大器均针对电压噪声、转换速率 (4.2V/μs) 和增益带宽乘积 (5.3MHz) 进行了 100% 的全面测试。

 LT1169 采用 S8 和 N8 封装。

 该器件提供了一整套针对精准型仪表放大器前端的匹配规格指标。还提供了 ±5V 电源操作的规格指标。如需更低的电压噪声，请查阅 LT1113 的产品手册。

特性 Features

• 输入偏置电流，预热：20pA (最大值)

• 经过 100% 全面测试的低电压噪声：8nV/√Hz (最大值)

• S8 和 N8 封装标准引出脚配置

• 非常低的输入电容：1.5pF

• 电压增益：1,200,000 (最小值)

• 失调电压：2mV (最大值)

• 输入电阻：1013 Ω

• 增益带宽乘积：5.3MHz (典型值)

• 提供了采用 ±5V 电源时的保证规格指标

• 保证的匹配规格指标