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深圳市高捷芯城科技有限公司

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LINEAR(凌特)N/A

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LINEAR(凌特)N/A

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ADI(亚德诺)N/A

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LINEAR(凌特)N/A

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LINEAR/凌特SOP24

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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ADI(亚德诺)SO-24-300mil

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ADI(亚德诺)SO-24-300mil

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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ADI(亚德诺)SO-24-300mil

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深圳市威雅利发展有限公司

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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ADI/亚德诺24-LeadSOIC(Wide0.3I

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ADI全新原装-可开原型号增税票

深圳市创新迹电子有限公司

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ADI/亚德诺SOIC-24

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只做原装 品质保障

深圳市威尔健半导体有限公司

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LINEAR原厂封装

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原装进口公司现货假一赔百

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Linear24SOIC

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原厂渠道,现货配单

深圳市宏世佳电子科技有限公司

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全新原厂原装产品、公司现货销售

谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司

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一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务

深圳市赛美科科技有限公司

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ADI原厂封装

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15年芯片行业经验/只供原装正品:13570885961邹小姐

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LT1162制造商:LINEAR 制造商全称:LINEAR 功能描述:Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

LT1162CN功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 24-DIP RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

LT1162CN#PBF功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER NCH 24-DIP RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

LT1162CSW功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 24SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063

LT1162CSW#PBF功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER NCH 24SOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端,独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381(CN2011-ZH PDF)

LT1162CSW#TR功能描述:IC DRIVER MOSF N-CH DUAL 24SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063

LT1162CSW#TRPBF功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER NCH 24SOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063

LT1162IN功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 24-DIP RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

LT1162IN#PBF功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER NCH 24-DIP RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

LT1162ISW功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 24SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063