LT1162中文资料半桥式/全桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器数据手册ADI规格书

描述 Description

LT®1160/LT1162 是成本效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。 内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特自适应保护电路取消了对两个MOSFET 的全部匹配要求。这极大地简化了高效率电机控制和开关稳压器系统的设计。 在低供电电压或启动条件下，欠压闭锁电路将主动地把驱动器输出拉至低电平，以防止功率 MOSFET 被部分接通。由于具有 0.5V 迟滞，因此即使在电源电压缓慢变化的情况下也能实现可靠的操作。 LT1162 是 LT1160 的双通道版本，采用 24 引脚 PDIP 或24 引脚 SO 宽体封装。

Applications 高电流电感性负载的PWM 半桥式和全桥式电机控制 同步降压型开关稳压器 三相无刷电机驱动 高电流换能器驱动器 D 类功率放大器

特性 Features

• 工作电压高达 60V 的浮动顶端驱动器开关

• 可把顶端N沟道 MOSFET 的栅极驱动至高于负载HV电源电压

• 180ns 变换时间 (驱动 10,000pF)

• 自适应非重叠栅极驱动可防止发生贯通

• 在高占空比条件下提供了顶端驱动器保护

• TTL/CMOS 输入电平

• 具迟滞的欠压闭锁

• 工作电源电压范围：10V 至 15V

• 单独的顶端和底端驱动引脚

简介

LT1162属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的LT1162栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。