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CEB11N65S	文件：532.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED11N65S	文件：519.97 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,8A,RDS(ON)=0.42W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF11N65S	文件：532.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP11N65S	文件：532.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU11N65S	文件：519.97 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,8A,RDS(ON)=0.42W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FCPF11N65	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCPF11N65-G	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HMS11N65	文件：729.14 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperJunctionMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS11N65F	文件：721.43 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperJunctionMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS11N65I	文件：882.25 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS11N65K	文件：882.25 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
ICE11N65FP	文件：978.14 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS MICROSS	MICROSS
ICE11N65FP	文件：596.15 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOSIcemos Technology Icemos 技术	ICEMOS
KPS11N65D	文件：389.46 Kbytes Page：6 Pages	ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KPS11N65F	文件：390.84 Kbytes Page：6 Pages	ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MDF11N65B	文件：1.07166 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MDF11N65B	文件：787.51 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,12A,0.65(ohm) GeneralDescription TheseN-channelMOSFETareproducedusingadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowonstateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality. ThesedevicesaresuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications. Feat	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF11N65BTH	文件：787.51 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,12A,0.65(ohm) GeneralDescription TheseN-channelMOSFETareproducedusingadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowonstateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality. ThesedevicesaresuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications. Feat	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF11N65BTH	文件：322.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDFS11N65B	文件：895.6 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,12A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多LSE11N65E供应商更新时间2024-5-1 8:30:00

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