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IRLR7843TR	文件：493.35 Kbytes Page：7 Pages	丝印：LR7843；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET Applications High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power 文件：493.35 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
LR7843	文件：202.28 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power ● High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom 文件：202.28 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
LR7843	文件：298.94 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power ● High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom 文件：298.94 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
LR7843	文件：1.00187 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：1.00187 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
LR7843	文件：371.48 Kbytes Page：11 Pages	Simple Drive Requirements 文件：371.48 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
LR7843
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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