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PBSS4580PA	文件：290.62 Kbytes Page：16 Pages	80V,5.6ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity *LeadlesssmallS	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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更多LR4580E供应商更新时间2024-5-13 16:27:00

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