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MMBD452	文件：1.09964 Mbytes Page：2 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBD452	文件：185.69 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYDIODE FEATURES LowCapacitance:1.5pF(Max)atVR=15V VeryLowVF:0.36V(Typ)atIF=1mA ExtremelyFastSwitchingSpeed LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives. GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree)	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MSMA452	文件：1.24862 Mbytes Page：39 Pages	MinasASeriesDigitalACServoMotors&Drivers	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MUR452	文件：62.03 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIER ReverseVoltage:50to600Volts ForwardCurrent:4.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification94V-0 ▪Lowforwardvoltagedrop ▪Highcurrentcapability,Highreliability ▪Lowpowerloss,highefficiency ▪Highsurgecurrentcapability	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR452G	文件：62.03 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
NDT452	文件：227.54 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription PowerSOTP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDT452	文件：92.94 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription PowerSOTP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDT452AP	文件：92.94 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription PowerSOTP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDT452AP-NL	文件：1.7476 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel35V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDT452P	文件：227.54 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription PowerSOTP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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