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LPC662AIN	文件：585.9 Kbytes Page：16 Pages	LowPowerCMOSDualOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LPC662AIN	文件：644.85 Kbytes Page：20 Pages	LPC662LowPowerCMOSDualOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LPC662AMD	文件：585.9 Kbytes Page：16 Pages	LowPowerCMOSDualOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LPC662AMD	文件：644.85 Kbytes Page：20 Pages	LPC662LowPowerCMOSDualOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LPC662IM	文件：585.9 Kbytes Page：16 Pages	LowPowerCMOSDualOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LPC662IMSLASHNOPB	文件：644.1 Kbytes Page：20 Pages	LPC662LowPowerCMOSDualOperationalAmplifier GeneralDescription TheLPC662CMOSDualoperationalamplifierisidealfor operationfromasinglesupply.Itfeaturesawiderangeof operatingvoltagefrom+5Vto+15V,rail-to-railoutputswing inadditiontoaninputcommon-moderangethatincludes ground.Performancelimitationsthatha	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
LPC662IMSLASHNOPB.A	文件：644.1 Kbytes Page：20 Pages	LPC662LowPowerCMOSDualOperationalAmplifier GeneralDescription TheLPC662CMOSDualoperationalamplifierisidealfor operationfromasinglesupply.Itfeaturesawiderangeof operatingvoltagefrom+5Vto+15V,rail-to-railoutputswing inadditiontoaninputcommon-moderangethatincludes ground.Performancelimitationsthatha	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2

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详细参数

型号：
LPC662AIM/NOPB
功能描述：
运算放大器 - 运放 Low Power CMOS Dual Op Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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