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MBR660CT	文件：87.84 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwardvoltage,highcurrentcapability. •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequen	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR660CT	文件：800.13 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwrdvoltge,highcurrentcapability •Highsurg	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR660F	文件：96.39 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwardvoltage,highcurrentcapability •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequency	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR660FCT	文件：94.42 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwardvoltge,highcurrentcapability •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequency	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR660G	文件：143.51 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBRD660	文件：137.4 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBRD660	文件：864.91 Kbytes Page：4 Pages	MBRD660SCHOTTKYRECTIFIER Features 150℃TJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability “-A”isanAEC-Q101	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBRD660	文件：934.59 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES •Lowforwardvoltage •Highcurrentcapability •Highforwardsurgecapability •Lowpowerlosses，Highefficiency •Guardingforovervoltageprotection APPLICATIONS LowVFSchottkybarrierrectifieraredesigned forhighfreqency,miniatureswitchedmode powersuppliessuchas	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
MBRD660CT	文件：96.49 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifirersDPAKSurfaceMountPackage SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS6AMPERES20TO60VOLTS ...inswitchingpowersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes,thesestate–of–the–artdeviceshavethefollowingfeatures: •ExtremelyFastSwitching •ExtremelyLowForwardDrop •PlatinumBarrierwithAvalancheGuardrings •Gua	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBRD660CT	文件：65.17 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers Switch-modePowerRectifiers DPAK−3SurfaceMountPackage Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseinswitchingpowersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes. Features •ExtremelyFastSwitching •ExtremelyLowForwardDrop •PlatinumBarrierwithAvalancheGuardrings •N	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
LPC660IMX/NOPB
功能描述：
运算放大器 - 运放
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	LPC660IMX/NOPB	NS/TI	2020+	SOP-14	90	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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