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MAX660MX	文件：259.44 Kbytes Page：11 Pages	SwitchedCapacitorVoltageConverter	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
MAX660MX/NOPB	文件：271.08 Kbytes Page：13 Pages	SwitchedCapacitorVoltageConverter	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
MAX660MXSLASHNOPB	文件：271.08 Kbytes Page：13 Pages	SwitchedCapacitorVoltageConverter	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
MB660XXX	文件：904.22 Kbytes Page：18 Pages	AVCMOSSEREISGATEARRAYS	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
MB660XXX	文件：1.52954 Mbytes Page：22 Pages	CMOSGateArray	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
MBR660	文件：85.79 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwardvoltage,highcurrentcapability •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequenc	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR660	文件：176.16 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●ForUseinLowVoltageApplication ●GuardRingDieConstruction ●PlasticCaseMaterialhasULFlammabilityClassificationRating94V-O	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR660	文件：1.4235 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR660	文件：1.45043 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR660	文件：1.40764 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG

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详细参数

型号：
LPC660AIM
功能描述：
运算放大器 - 运放
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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