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LP6872	文件：38.59 Kbytes Page：2 Pages	0.5W POWER PHEMT DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP6872 is an Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct write 0.25 mm by 720 mm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” gate structure mini 文件：38.59 Kbytes 页数：2 Pages	FILTRONIC	FILTRONIC
LP6872P100	文件：23.15 Kbytes Page：2 Pages	Packaged 0.5W Power PHEMT 文件：23.15 Kbytes 页数：2 Pages	FILTRONIC	FILTRONIC
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LP6872P100	文件：300 bytes Page：1 Pages	Packaged 0.5W Power PHEMT	Filtronic	Filtronic

更多LP6872供应商更新时间2025-12-13 16:45:00