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MMBT3906	文件：136.29 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALTRANSISTORS(PNP) FEATURES ♦PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. ♦Ascomplementarytype,theNPN transistorMMBT3904isrecommended. ♦ThistransistorisalsoavailableintheTO-92casewith thetypedesignation2N3906.	GE GE Industrial Company	GE
MMBT3906	文件：60.44 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •ComplementaryNPNType:MMBT3904 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906	文件：123.82 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNP) PNPSiliconType Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT3904) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT3906	文件：50.5 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSEAPPLIATION FEATURES Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PD(MAX)=350mW *ComplementarytoUTCMMBT3904	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT3906	文件：300.37 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT3906	文件：98.63 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3906	文件：432.71 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906	文件：109.59 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER225mWatts FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=-40V •CollectorcurrentIC=-200mA •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3906	文件：303.26 Kbytes Page：3 Pages	30.3WattsPNPPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeans greencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3906	文件：100.01 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreel	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec

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详细参数

型号：
LP3906SQX-PPXP
功能描述：
其他电源管理
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输出电流：
4 mA
输入电压范围：
3 V to 3.6 V
工作温度范围：
- 40 C to + 110 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-48
封装：
Reel

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