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LP2950_V01	文件：605.87 Kbytes Page：26 Pages	Low Power Low, Dropout 100 mA Features •LowQuiescentBiasCurrentof75A •LowInput−to−OutputVoltageDifferentialof50mVat100Aand 380mVat100mA •5.0V,3.3Vor3.0V±0.5%AllowsUseasaRegulatororReference •ExtremelyTightLineandLoadRegulation •RequiresOnlya1.0FOutputCapacitorforSta	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
F2950_V01	文件：5.4336 Mbytes Page：19 Pages	HighLinearitySP2TWi-FiRFSwitch100MHzto8GHz Features ■Lowinsertionloss:0.58dBat2.5GHz ■Highisolation:44dBat2.5GHz ■Excellentlinearity: ●IIP3+69dBmat2.4GHzand5.9GHz ●IIP2+111dBmat2.4GHz ●IIP2+122dBmat5.9GHz ■SecondHarmonic:-93dBcat5.9GHz ■ThirdHarmonic:-85dBcat5.9GHz ■Typicalswitchingspeed:17	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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LP2950_V01

文件：605.87 Kbytes

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Low Power Low, Dropout 100 mA

Features •LowQuiescentBiasCurrentof75A •LowInput−to−OutputVoltageDifferentialof50mVat100Aand 380mVat100mA •5.0V,3.3Vor3.0V±0.5%AllowsUseasaRegulatororReference •ExtremelyTightLineandLoadRegulation •RequiresOnlya1.0FOutputCapacitorforSta

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

F2950_V01

文件：5.4336 Mbytes

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HighLinearitySP2TWi-FiRFSwitch100MHzto8GHz

Features ■Lowinsertionloss:0.58dBat2.5GHz ■Highisolation:44dBat2.5GHz ■Excellentlinearity: ●IIP3+69dBmat2.4GHzand5.9GHz ●IIP2+111dBmat2.4GHz ●IIP2+122dBmat5.9GHz ■SecondHarmonic:-93dBcat5.9GHz ■ThirdHarmonic:-85dBcat5.9GHz ■Typicalswitchingspeed:17

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多LP2950_V01供应商更新时间2025-5-26 8:41:00

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