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LP0701N3	文件：32.8 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET General Description These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a lateral MOS structure and Supertex’s well-proven silicon gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance an 文件：32.8 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
LP0701N3-G	文件：597.6 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET General Description These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a lateral MOS structure and Supertex’s well-proven silicon gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance an 文件：597.6 Kbytes 页数：6 Pages	SUTEX	SUTEX
LP0701N3G	文件：540.01 Kbytes Page：14 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：540.01 Kbytes 页数：14 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
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详细参数

型号：
LP0701N3
功能描述：
MOSFET 16.5V 1.5Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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