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LP0701N3-G	文件：597.6 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET General Description These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a lateral MOS structure and Supertex’s well-proven silicon gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance an 文件：597.6 Kbytes 页数：6 Pages	SUTEX	SUTEX
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