首页 >LNX7N65D>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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N-ChannelMOSFET650V,7.0A,1.35(ohm) | MGCHIP MagnaChip Semiconductor. | MGCHIP | ||
N-ChannelMOSFET650V,7.0A,1.35(ohm) | MGCHIP MagnaChip Semiconductor. | MGCHIP | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
SimpleDriveRequirement | BWTECH Bruckewell Technology LTD | BWTECH | ||
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司 | CYSTEKEC | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司 | CYSTEKEC | ||
7.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES VDS=650V ID=7.0A RDS(on)=1.8ohm@VGS=10V Highswitchingspeed 100avalanchetested | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | DGNJDZ | ||
7.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES VDS=650V ID=7.0A RDS(on)=1.8ohm@VGS=10V Highswitchingspeed 100avalanchetested | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | DGNJDZ | ||
7.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES VDS=650V ID=7.0A RDS(on)=1.8ohm@VGS=10V Highswitchingspeed 100avalanchetested | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | DGNJDZ |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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