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LN69

GaAs Infrared Light Emitting Diode

GaAs Infrared Light Emitting Diode For optical control systems Features ● High-power output, high-efficiency : Ie = 3.5 mW/sr (min.) ● Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors : λP = 940 nm (typ.) ● Good radiant power output linearity with respect to input current ● Long life

文件:40.39 Kbytes 页数:2 Pages

Panasonic

松下

LN69

Package:T-1;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:光电器件 LED 发射器 - 红外,紫外,可见光 描述:EMITTER IR 940NM 50MA T-1

Panasonic

松下

LN709C2941VR-G

SOT23

NATLINEAR/南麟

上传:深圳广友电子有限公司

NATLINEAR/南麟

LN8205FMR

SOT-23-6L-A

NATLINEAR/南麟

上传:深圳广友电子有限公司

NATLINEAR/南麟

LN8231B5AMR-G

SOT-23-5

南麟

产品属性

  • 产品编号:

    LN69

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 类别:

    光电器件 > LED 发射器 - 红外,紫外,可见光

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 类型:

    红外(IR)

  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):

    50mA

  • 不同 If 时最小辐射强度 (Ie):

    3.5mW/sr @ 50mA

  • 波长:

    940nm

  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):

    1.3V

  • 视角:

    30°

  • 方向:

    顶视图

  • 工作温度:

    -25°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    T-1

  • 描述:

    EMITTER IR 940NM 50MA T-1

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更多LN69供应商 更新时间2025-12-24 11:09:00