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CSS722	文件：121.84 Kbytes Page：1 Pages	SMASTRAIGHTPLUGFORECSCABLE3C142B,311901,3C058A	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
CTR722	文件：138.47 Kbytes Page：1 Pages	RIGHTANGLETNCPLUGFORECSCABLE3C142B,311901,AND3C058A	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
CTS722	文件：134.7 Kbytes Page：1 Pages	TNCSTRAIGHTPLUGFORECSCABLE3C142B,311901,AND3C058A	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
CWT722-S	文件：732.13 Kbytes Page：18 Pages	surface-mountLED	SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd.	SEOUL
CWT722-T	文件：732.3 Kbytes Page：18 Pages	surface-mountLED	SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd.	SEOUL
DG722	文件：207.31 Kbytes Page：10 Pages	1.8Vto5.5V,4ohmDualSPSTSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG722	文件：194.64 Kbytes Page：10 Pages	1.8Vto5.5V,4??DualSPSTSwitches FEATURES •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 definition •1.8Vto5.5Vsinglepowersupply •Lowandflatswitchonresistance,2.5/typ. •Lowleakageandparasiticcapacitance •366MHz,-3dBbandwidth •Latch-upcurrent>300mA(JESD78) •Spacesavingpackages 2mmx2mm	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DRA722	文件：5.32637 Mbytes Page：409 Pages	InfotainmentApplicationsProcessorSiliconRevision2.0	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
DRA722	文件：5.28605 Mbytes Page：408 Pages	InfotainmentApplicationsProcessor	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
FMMT722	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-100V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2.5APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT722	文件：440.66 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-12V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-10APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageE.g.-17mVMax@IC=-100mA. •RCE(sat)=72mΩat2.5Aforalowequivalenton-resistance •625mWpowerdissipation •hFEcharacterisedupto-10Aforhighcurrentgai	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT722	文件：37.87 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingTransistor Features ●625mWpowerdissipation. ●ICCONT2.5A. ●ICupto10Apeakpulsecurrent. ●Excellenthfecharacteristicsupto10A(pulsed). ●Extremelylowsaturationvoltagee.g.10mVtyp.. ●Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT722	文件：355.42 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT722TA	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-100V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2.5APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
HE722	文件：102.34 Kbytes Page：1 Pages	DualOutputVCO	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HEm722	文件：102.34 Kbytes Page：1 Pages	DualOutputVCO	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HM722	文件：2.40679 Mbytes Page：13 Pages	12MHz,HighSlewRate,RRIOCMOSOperationalAmplifiers	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HPC722	文件：42.24 Kbytes Page：1 Pages	PHOTOCOUPLERS FEATURES: •LargeCurrentTransferRatio •IsolationVoltageBetweenInputandOutput •HPC522/532/542Viso=2500Vrms(Min.) •HPC722/732/742Viso=4000Vrms(Min.) •HPC922/932/942Viso=5000Vrms(Min.) •PlasticDIPPackage •ULFile#E178703 USES: •Transmissionandconvers	AZDISPLAYS AZ Displays	AZDISPLAYS
HYT722	文件：572.25 Kbytes Page：13 Pages	TOPLEDDEVICE	SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd.	SEOUL
ICS722	文件：129.68 Kbytes Page：6 Pages	LOWCOST27MHZ3.3VOLTVCXO	ICSTChina Resources Microelectronics Limited Limited 华润微电子华润微电子有限公司	ICST

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详细参数

型号：
LMV722IDR
功能描述：
运算放大器 - 运放 10-MHz L-N L-V L-P
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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详细参数

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