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GaAsInfraredLightEmittingDiode GaAsInfraredLightEmittingDiode Foropticalcontrolsystems Features ●High-poweroutput,high-efficiency:Ie=10mW/sr(min.) ●Emittedlightspectrumsuitedforsiliconphotodetectors ●Goodradiantpoweroutputlinearitywithrespecttoinputcurrent ●Highcenterradiantintensity | PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器 | Panasonic | ||
ULTRA-LOW-POWERDUALOPERATIONALAMPLIFIERS | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
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Ultra-LowPowerDualOperationalAmplifiers 1Features 1•LowSupplyCurrent:54μA(Typical) •LowOffsetVoltage:2mV(Typical) •LowInputBiasCurrent:2nA(Typical) •InputCommon-ModetoGND •WideSupplyVoltage:3V | TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI2 | ||
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