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LMG1025QDEETQ1集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

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厂商型号

LMG1025QDEETQ1

参数属性

LMG1025QDEETQ1 封装/外壳为6-WDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC MOSFET GAN DRIVER 7A/5A 6-WSO

功能描述

LMG1025-Q1 Automotive Low Side GaN and MOSFET Driver For High Frequency and Narrow Pulse Applications
IC MOSFET GAN DRIVER 7A/5A 6-WSO

封装外壳

6-WDFN 裸露焊盘

文件大小

603.51 Kbytes

页面数量

21

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

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数据手册

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更新时间

2025-12-15 14:47:00

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LMG1025QDEETQ1规格书详情

LMG1025QDEETQ1属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由德州仪器制造生产的LMG1025QDEETQ1栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

产品属性

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  • 产品编号:

    LMG1025QDEETQ1

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.75V ~ 5.25V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.8V,1.7V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    7A,5A

  • 输入类型:

    反相,非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    650ps,850ps

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装,可润湿侧翼

  • 封装/外壳:

    6-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    6-WSON(2x2)

  • 描述:

    IC MOSFET GAN DRIVER 7A/5A 6-WSO

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