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LMG1025QDEERQ1	文件：2.21134 Mbytes Page：30 Pages	丝印：LMG；Package：WSON(DEE)；LMG1025-Q1 Automotive Low Side GaN and MOSFET Driver For High Frequency and Narrow Pulse Applications 1 Features • AEC-Q100 grade 1 qualified • 1.25ns typical minimum input pulse width • 2.6ns typical rising propagation delay • 2.9ns typical falling propagation delay • 300ps typical pulse distortion • Independent 7A pull-up and 5A pull-down current • 650ps typical rise time (220pF load) • 文件：2.21134 Mbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
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LMG1025QDEERQ1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-WDFN 裸露焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：LOW-SIDE GAN DRIVER AUTO 5V 5/7A	TI 德州仪器	TI
LMG1025QDEERQ1.A	文件：2.21134 Mbytes Page：30 Pages	丝印：LMG；Package：WSON(DEE)；LMG1025-Q1 Automotive Low Side GaN and MOSFET Driver For High Frequency and Narrow Pulse Applications 1 Features • AEC-Q100 grade 1 qualified • 1.25ns typical minimum input pulse width • 2.6ns typical rising propagation delay • 2.9ns typical falling propagation delay • 300ps typical pulse distortion • Independent 7A pull-up and 5A pull-down current • 650ps typical rise time (220pF load) • 文件：2.21134 Mbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
LMG1025QDEERQ1
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
低端
通道类型：
单路
栅极类型：
N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.8V，1.7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
7A，5A
输入类型：
反相，非反相
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：
6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
6-WSON（2x2）
描述：
LOW-SIDE GAN DRIVER AUTO 5V 5/7A

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更多LMG1025QDEERQ1供应商更新时间2025-12-1 10:38:00

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