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L8550LT1

GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon

LRCLeshan Radio Company

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

L8550LT1G

GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon

LRCLeshan Radio Company

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

M8550LT1

PNPGeneralPurposeTransistors

PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

MMBT8550LT1

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR 2WOUTPUTAMPLIFIEROFPORTABLERADIOSINCLASSBPUSH-PULLOPERATION •ComplementtoMMPT8050LT1 •Collector-current:Ic=-500mA •HighTotalPowerDissipation:Pc=225mW

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳实业有限公司

S8550LT1

HIGHVOLTAGETRANSISTOR:(PNP)

FEATURES DieSize 0.44*0.44mm Powerdissipation PCM:225mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V

WINGSWing Shing Computer Components

永盛电子永盛电子(香港)有限公司

SS8550LT1

PNPGeneralPurposeTransistors

PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

SS8550LT1

TRANSISTOR竊?PNP竊

FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

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