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LM5110-3MX	文件：269.92 Kbytes Page：13 Pages	Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability 文件：269.92 Kbytes 页数：13 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM5110-3MX	文件：876.93 Kbytes Page：18 Pages	LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability 文件：876.93 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5110-3MX/NOPB	文件：960.51 Kbytes Page：20 Pages	Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability 文件：960.51 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5110-3MXSLASHNOPB	文件：960.51 Kbytes Page：20 Pages	Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability 文件：960.51 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5110-3M	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	TI2 德州仪器	TI2
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LM5110-3MX/NOPB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	TI2 德州仪器	TI2

产品属性

产品编号：
LM5110-3M
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
3.5V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
3A，5A
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
14ns，12ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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更多LM5110-3M供应商更新时间2025-10-12 11:04:00

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