LM5175EVM-HP技术资料参数原装现货德州仪器-114ic电子网

首页 >LM5175EVM-HP>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
LM5175EVM-HP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：开发板，套件，编程器评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS 描述：EVALUATION MODULE LM5175 HP	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ACE5175X	文件：255.9 Kbytes Page：4 Pages	7V600mA75dBHighPSRR,HighSpeedLDO	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE5175XBNH	文件：255.9 Kbytes Page：4 Pages	7V600mA75dBHighPSRR,HighSpeedLDO	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
AD5175	文件：1.033619 Mbytes Page：20 Pages	Single-Channel,1024-Position,DigitalRheostatwithI2CInterfaceand50-TPMemory	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
BX5175	文件：73.67 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
C5175G	文件：880.27 Kbytes Page：2 Pages	5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C5175K	文件：880.27 Kbytes Page：2 Pages	5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C5175V	文件：880.27 Kbytes Page：2 Pages	5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CEB5175	文件：683.38 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-55V,-50A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEB5175	文件：503.67 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-50A,RDS(ON)=23mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=28mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED5175	文件：269.98 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-40A,RDS(ON)=23mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=28mW@VGS=-4.5V. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED5175	文件：274 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-55V,-40A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP5175	文件：683.38 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-55V,-50A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP5175	文件：503.67 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-50A,RDS(ON)=23mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=28mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU5175	文件：269.98 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-40A,RDS(ON)=23mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=28mW@VGS=-4.5V. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU5175	文件：274 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-55V,-40A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEZ5175	文件：535.62 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-48A,RDS(ON)=23mW@VGS=-10V. RDS(ON)=28mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
EL5175	文件：753.55 Kbytes Page：15 Pages	550MHzDifferentialLineReceivers TheEL5175andEL5375aresingleandtriplehighbandwidthamplifiersdesignedtoextractthedifferencesignalfromnoisyenvironments.Theyareprimarilytargetedforapplicationssuchasreceivingsignalsfromtwisted-pairlinesoranyapplicationwherecommonmodenoiseinjectionislikelyto	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
EL5175	文件：337.26 Kbytes Page：16 Pages	550MHzDifferentialLineReceivers	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
EL5175	文件：441.12 Kbytes Page：15 Pages	550MHzDifferentialLineReceivers TheEL5175andEL5375aresingleandtriplehighbandwidthamplifiersdesignedtoextractthedifferencesignalfromnoisyenvironments.Theyareprimarilytargetedforapplicationssuchasreceivingsignalsfromtwisted-pairlinesoranyapplicationwherecommonmodenoiseinjectionislikelyto	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

12 3 >>>

产品属性

产品编号：
LM5175EVM-HP
制造商：
Texas Instruments
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
包装：
盒
主要用途：
DC/DC，步升/步降
输出和类型：
1，非隔离
电压 - 输出：
12V
电流 - 输出：
10A
电压 - 输入：
6V ~ 36V
稳压器拓扑：
降压升压
频率 - 开关：
260kHz
板类型：
完全填充
所含物品：
板
使用的 IC/零件：
LM5175
描述：
EVALUATION MODULE LM5175 HP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
千层芯半导体(深圳)有限公司	LM5175EVM-HP	TI	17+	SMD	17900	开发软件	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	LM5175EVM-HP	TI	22+	开发板	20000	绝对原装现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	LM5175EVM-HP	TI/德州仪器		NA	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市吉利鑫科技发展有限公司	LM5175EVM-HP	TI/德州仪器	22+	NA	10000	绝对原装现货热卖	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	LM5175EVM-HP	Texas Instruments	2022+	原厂原包装	6800	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市云美电子科技有限公司	LM5175EVM-HP	TI/德州仪器	22+	NA	33944	只做原装进口现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	LM5175EVM-HP	Texas Instruments			6000		询价
北京京北通宇电子元件有限公司	LM5175EVM-HP	TI	23+	NA	195	DC/DC和AC/DC(离线)SMPS评估板	询价
芯权科技（深圳）有限公司	LM5175EVM-HP	TI/德州仪器	23+		8355	只做原装现货/实单可谈/支持含税拆样	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	LM5175PWP	TI	19+	HTSSOP28	78821	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价

更多LM5175EVM-HP供应商更新时间2024-4-29 17:23:00

产品属性

相关规格书

相关库存