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LM5109BSD/NOPB

High Voltage 1-A Peak Half-Bridge Gate Driver

文件:1.39566 Mbytes 页数:24 Pages

TI

德州仪器

LM5109BSD/NOPB

Package:8-WDFN 裸露焊盘;包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON

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德州仪器

LM5109BSDSLASHNOPB

High Voltage 1-A Peak Half-Bridge Gate Driver

文件:1.39566 Mbytes 页数:24 Pages

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LM5109BSDSLASHNOPB

LM5109B High Voltage 1-A Peak Half-Bridge Gate Driver

1 Features 1• Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source) • Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC • Fast Propagation Times (30 ns Typical) • Drives 1000-pF Load With 15-ns Ri

文件:1.20768 Mbytes 页数:29 Pages

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LM5109BSDSLASHNOPB.A

LM5109B High Voltage 1-A Peak Half-Bridge Gate Driver

1 Features 1• Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source) • Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC • Fast Propagation Times (30 ns Typical) • Drives 1000-pF Load With 15-ns Ri

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德州仪器

产品属性

  • 产品编号:

    LM5109BSD/NOPB

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    8V ~ 14V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1A,1A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    15ns,15ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-WSON(4x4)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多LM5109BSD/NOPB供应商 更新时间2025-11-18 11:17:00