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LM5109BQNGTRQ1	文件：970.51 Kbytes Page：24 Pages	丝印：L5109Q；Package：WSON；LM5109B-Q1 High Voltage 1-A Peak Half Bridge Gate Driver 1 Features 1• Qualified for Automotive Applications • AEC-Q100 Qualified With the Following Results – Device Temperature Grade 1 high– Device HBM ESD Classification Level 1C – Device CDM ESD Classification Level C4A • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET • 1-A Peak Output 文件：970.51 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5109BQNGTRQ1	文件：755.51 Kbytes Page：22 Pages	High Voltage 1-A Peak Half Bridge Gate Driver 文件：755.51 Kbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5109BQNGTRQ1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-WDFN 裸露焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON	TI2 德州仪器	TI2
LM5109BQNGTRQ1.A	文件：970.51 Kbytes Page：24 Pages	丝印：L5109Q；Package：WSON；LM5109B-Q1 High Voltage 1-A Peak Half Bridge Gate Driver 1 Features 1• Qualified for Automotive Applications • AEC-Q100 Qualified With the Following Results – Device Temperature Grade 1 high– Device HBM ESD Classification Level 1C – Device CDM ESD Classification Level C4A • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET • 1-A Peak Output 文件：970.51 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5109BQNGTRQ1.B	文件：970.51 Kbytes Page：24 Pages	丝印：L5109Q；Package：WSON；LM5109B-Q1 High Voltage 1-A Peak Half Bridge Gate Driver 1 Features 1• Qualified for Automotive Applications • AEC-Q100 Qualified With the Following Results – Device Temperature Grade 1 high– Device HBM ESD Classification Level 1C – Device CDM ESD Classification Level C4A • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET • 1-A Peak Output 文件：970.51 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
LM5109BQNGTRQ1
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1A，1A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，15ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-WSON（4x4）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON

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