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MBR5100	文件：136.3 Kbytes Page：2 Pages	5.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR5100	文件：152.34 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR5100D	文件：2.44821 Mbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyRectifiers	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
MBR5100D	文件：123.82 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-5Amp100~200Volt □Features -PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0 -HighJunctionTemperatureCapability -Lowforwardvoltage,highcurrentcapability -Highsurgecapacity -Lowpowerloss,highefficiency	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
MBR5100DS	文件：477.21 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier FEATURES ♦Highcurrentcapability ♦Lowforwardvoltagedrop ♦Highsurgecapability ♦Hightemperaturesolderingguaranteed ♦Mountingposition:any ♦LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MBR5100G	文件：1.65802 Mbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Forthroughholeapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters,freewheeling,a	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
MBR5100G	文件：146.9 Kbytes Page：2 Pages	5.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE 5.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE ●SchottkyBarrierChip ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●ForUseinLowVoltageApplication ●GuardRingDieConstruction ●PlasticCaseMaterialhasULFlammabilityClassificationRating94V-O	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR5100MFS	文件：118.19 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers Features •LowPowerLoss/HighEfficiency •NewPackageProvidesCapabilityofInspectionandProbeAfterBoardMounting •GuardringforStressProtection •LowForwardVoltageDrop •175°COperatingJunctionTemperature •NRVBPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring Uni	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR5100MFS	文件：194.8 Kbytes Page：6 Pages	Switch-modePowerRectifiers Features •LowPowerLoss/HighEfficiency •NewPackageProvidesCapabilityofInspectionandProbeAfter BoardMounting •GuardringforStressProtection •LowForwardVoltageDrop •175°COperatingJunctionTemperature •NRVBPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring Uniqu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR5100S	文件：192.19 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER Features: •DesignedasBypassDiodesforSolarPanels •HighForwardSurgeCapability •UltraLowForwardVoltageDrop •ExcellentHighTemperatureStability •ThisisaPb−FreeDevice •AllSMCpartsaretraceabletothewaferlot •Additionaltestingcanbeoffereduponrequest Applic	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC

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产品属性

产品编号：
LM5100MX
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
3V，8V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.6A，1.6A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
600ns，600ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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