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LM4916LDSLASHNOPB	文件：1.15387 Mbytes Page：24 Pages	1.5V, Mono 85mW BTL Output, 14mW Stereo Headphone Audio Amplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
LM4916LDX/NOPB	文件：1.15387 Mbytes Page：24 Pages	1.5V,Mono85mWBTLOutput,14mWStereoHeadphoneAudioAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
LM4916LDXSLASHNOPB	文件：1.15387 Mbytes Page：24 Pages	1.5V,Mono85mWBTLOutput,14mWStereoHeadphoneAudioAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
LM4916MM	文件：655.09 Kbytes Page：18 Pages	1.5V,Mono85mWBTLOutput,14mWStereoHeadphoneAudioAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM4916MM/NOPB	文件：1.15387 Mbytes Page：24 Pages	1.5V,Mono85mWBTLOutput,14mWStereoHeadphoneAudioAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
LM4916MMSLASHNOPB	文件：1.15387 Mbytes Page：24 Pages	1.5V,Mono85mWBTLOutput,14mWStereoHeadphoneAudioAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
M4916	文件：667.4 Kbytes Page：6 Pages	M4916SERIESAC/DCPOWERSUPPLY PRODUCTHIGHLIGHTS CEMARKINGCONFIGURATIONS (IEC60939-3) ACINPUT:85-265VAC SINGLEPHASE 50/60/400HZ ACOUTPUT:FOLLOWINGINPUT 10AMAXCURRENT HIGHDENSITY COMPACT	ENERCON Enercon Technologies Europe AG	ENERCON
MGF4916	文件：19.34 Kbytes Page：3 Pages	SUPERLOWNOISEInGaAsHEMT DESCRIPTION TheMGF491xGseriessuper-low-noiseHEMT(HighElectronMobilityTransistor)isdesignedforuseinLtoKubandamplifiers. Thehermeticallysealedmetal-ceramicpackageassuresminimumuparasiticlosses,andhasaconfigurationsuitableformicrostripcircuits. TheMGF491*Gseries	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF4916D	文件：579.62 Kbytes Page：10 Pages	TAPECARRIERSUPERLOWNOISEINGAASHEMT	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF4916G	文件：19.34 Kbytes Page：3 Pages	SUPERLOWNOISEInGaAsHEMT DESCRIPTION TheMGF491xGseriessuper-low-noiseHEMT(HighElectronMobilityTransistor)isdesignedforuseinLtoKubandamplifiers. Thehermeticallysealedmetal-ceramicpackageassuresminimumuparasiticlosses,andhasaconfigurationsuitableformicrostripcircuits. TheMGF491*Gseries	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

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