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LMBT3904LT1	文件：160.2 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT3904LT1G	文件：160.2 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT3904LT1G	文件：331.01 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=5dB(MAX) @VCE=5.0V,f=10Hzto15.7kHz,IC=100uA,RS=1.0kΩ •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiers andlinearbroadbandamplifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMB3904LT1	文件：265.1 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT3904LT1	文件：154.69 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23TRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR •ComplementaryPairwithMMBT3906LT1. •CollectorDissipation:Pc=225mW •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V •NPNEpitaxialSiliconTransistor	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT3904LT1	文件：664.57 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •RoHSproductforpackingcodesuffixG, HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH. •Weight:0.008g	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBT3904LT1	文件：40.72 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
MMBT3904LT1	文件：164.6 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1	文件：230.8 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBT3904LT1	文件：80.17 Kbytes Page：2 Pages	Transistors(NPN) FEATURES ■Powerdissipation,PCM:0.2W(Tamb=25℃) ■Collectorcurrent,ICM:0.2A ■Collector-basevoltage,V(BR)CBO:60V ■Operatingandstoragejunctiontemperaturerange: TJ,Tstg:-55℃to+150℃ ■SOT-23plastic-encapsulatepackage DeviceMarking:AM1	SSC Silicon Standard Corp.	SSC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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