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299	文件：51.94 Kbytes Page：1 Pages	BladeTerminal&SpecialPurposeFuses-LowVoltage	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
299	文件：290.73 Kbytes Page：1 Pages	PLUGGABLESERIES	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司
299	文件：197.81 Kbytes Page：1 Pages	DUAL-IN-LINESOCKETSRightAngleMountClosedFrame	MILL-MAX Mill-Max Manufacturing Corp.
299	文件：97.57 Kbytes Page：3 Pages	CustomerSpecification Construction 1)Component11X1BUSBAR a)Conductor24(SOLID)AWGTinnedCopper	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
299D	文件：132.04 Kbytes Page：8 Pages	Solid-ElectrolyteTANTALEX짰Capacitors,TripoleTriple-Lead,Resin-Coated	VishayVishay Siliconix 威世科技
299x	文件：111.6 Kbytes Page：1 Pages	Laser&detectorchip&TO-canproducts	AVAGOAvago 安华高安华高科技
AN299	文件：1.08534 Mbytes Page：4 Pages	EXTERNAL32.768KHZCRYSTALOSCILLATOR	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司
BA299	文件：1.5089 Mbytes Page：84 Pages	512MbC-dieNORFLASH GENERALDESCRIPTION TheK8A(10/11/12/13)15Efeaturingsingle1.8Vpowersupplyisa512MbitMuxedBurstMultiBankFlashMemoryorganizedas32Mx16.Thememoryarchitectureofthedeviceisdesignedtodivideitsmemoryarraysinto512blocks(Uniformblockpart)/515blocks(Bootblockpart)withind	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
BAS299	文件：218.37 Kbytes Page：5 Pages	HIGHSPEEDHIGHCURRENTQUADSWITCHINGDIODE Features •High-SwitchingSpeed,HighCurrent •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •ForGeneralPurposeSwitchingApplications •HighConductance •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualif	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BF299	文件：142.35 Kbytes Page：2 Pages	NPNHIGHVOLTAGEVIDEOAMPLIFIERS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics
BSH299	文件：93.63 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeMOStransistorinaSOT363SMDpackage. FEATURES •Lowthresholdvoltage •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. APPLICATIONS •Powermanagement •Batterypoweredapplicationse.g.cellularphones •Gen	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BSP299	文件：169.5 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalancherated) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •VGS(th)=2.1...4.0V	SIEMENS Siemens Ltd
BSP299	文件：169.5 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •VGS(th)=2.1...4.0V •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101 •HalogenfreeaccordingtoIEC61249221	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSP299	文件：264.52 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BY299	文件：128.8 Kbytes Page：2 Pages	SOFTRECOVERYPLASTICRECTIFIER VOLTAGE-100TO800VoltsCURRENT-2.0Ampere FEATURE •Highsurgecurrentcapability •ThePlasticpackagecarriesUnderwriters. •LaboratoryFlammabilityclassification94V-O 2.0AmpereoperationatTA=55OCwithnothermalrunway. •Fastswitchingforhighefficiency •Exceedsenviromen	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司
BY299	文件：139.59 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS ReverseVoltage–100to800VForwardCurrent–2A Features •Lowforwardvoltagedrop •Lowcost •Lowleakage •Highcurrentcapability	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
BY299	文件：164.16 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERRECTIFIER VOLTAGERANGE100to800VoltsCURRENT2.0Ampere FEATURES ●Lowcoatconstruction ●Fastswitchingforhighefficency. ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司
BY299	文件：66.89 Kbytes Page：2 Pages	SOFTRECOVERY,FASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
BY299	文件：55.15 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERDIODES	EIC EIC
BY299	文件：91.52 Kbytes Page：2 Pages	FastSiliconRectifierDiodes??SchnelleSilizium-Gleichrichterdioden •Nominalcurrent2A •Repetitivepeakreversevoltage100...800V •Plasticcase~DO-201 •Weightapprox.0.8g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingta	DiotecDIOTEC 德欧泰克

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详细参数

型号：
LM299H
制造商：
Texas Instruments

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