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LL1608-FH1N2S中文资料Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)数据手册恩XP规格书

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厂商型号

LL1608-FH1N2S

功能描述

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-23 10:08:00

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技术参数

  • 型号:

    LL1608-FH1N2S

  • 功能描述:

    INDUCTOR 1.2NH +-0.3NH SMT

  • RoHS:

  • 类别:

    电感器,线圈,扼流圈 >> 固定式

  • 系列:

    LL1608-FH

  • 标准包装:

    500

  • 系列:

    1331

  • 电感:

    1.2µH

  • 电流:

    247mA 电流 -

  • 饱和:

    247mA 电流 -

  • 温升:

    -

  • 类型:

    铁芯体

  • 容差:

    ±10%

  • 屏蔽:

    屏蔽 DC

  • 电阻(DCR):

    最大 730 毫欧

  • Q因子@频率:

    40 @ 7.9MHz 频率 -

  • 自谐振:

    130MHz 材料 -

  • 芯体:

  • 封装/外壳:

    0.312 L x 0.115 W x 0.135 H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 105°C 频率 -

  • 测试:

    7.9MHz

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