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LL1608-FH1N2S	文件：899.04 Kbytes Page：12 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) High Efficiency/Linearity Amplifier The MMA25312B is a high efficiency InGaP HBT amplifier designed for use in 2400 MHz ISM applications, WLAN (802.11g), WiMAX (802.16e) and wireless broadband mesh networks. It is suitable for applications 文件：899.04 Kbytes 页数：12 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
LL1608-FH1N2S	文件：342.39 Kbytes Page：10 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) High Efficiency/Linearity Amplifier The MMA25312B is a 2-stage high efficiency InGaP HBT driver amplifier designed for use in 2400 MHz ISM applications, WLAN (802.11g), WiMAX (802.16e) and wireless broadband mesh networks. It is suitable f 文件：342.39 Kbytes 页数：10 Pages	恩XP	恩XP
LL1608-FH1N2S	文件：378.22 Kbytes Page：2 Pages	Multilayer Chip Inductors 文件：378.22 Kbytes 页数：2 Pages	Toko	Toko
LL1608-FH1N2S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)	恩XP 恩智浦	恩XP

详细参数

型号：
LL1608-FH1N2S
功能描述：
INDUCTOR 1.2NH +-0.3NH SMT
RoHS：
否
类别：
电感器，线圈，扼流圈 >> 固定式
系列：
LL1608-FH
标准包装：
500
系列：
1331
电感：
1.2µH
电流：
247mA 电流 -
饱和：
247mA 电流 -
温升：
-
类型：
铁芯体
容差：
±10%
屏蔽：
屏蔽 DC
电阻(DCR)：
最大 730 毫欧
Q因子@频率：
40 @ 7.9MHz 频率 -
自谐振：
130MHz 材料 -
芯体：
铁
封装/外壳：
0.312 L x 0.115 W x 0.135 H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm）
安装类型：
表面贴装
包装：
带卷(TR)
工作温度：
-55°C ~ 105°C 频率 -
测试：
7.9MHz

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