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FDI8442	文件：325.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.7mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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FDP8442	文件：294.83 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET40V,80A,3.1m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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