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LF412ACN	文件：3.20504 Mbytes Page：22 Pages	LF412-N Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 1 Features 1• Internally Trimmed Offset Voltage: 1 mV (Max) • Input Offset Voltage Drift: 7 μV/°C (Typ) • Low Input Bias Current: 50 pA • Low Input Noise Current: 0.01 pA / √Hz • Wide Gain Bandwidth: 3 MHz (Min) • High Slew Rate: 10V/μs (Min) • Low Supply Current: 1.8 mA/Amplifier • High I 文件：3.20504 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412ACN	文件：3.20338 Mbytes Page：22 Pages	Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 文件：3.20338 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412ACN	文件：1.31551 Mbytes Page：16 Pages	LF412 Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 文件：1.31551 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412ACN	文件：565.24 Kbytes Page：13 Pages	Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 文件：565.24 Kbytes 页数：13 Pages	NSC 国半	NSC
LF412ACN/NOPB	文件：3.20504 Mbytes Page：22 Pages	丝印：LF412ACN；Package：PDIP(P)；LF412-N Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 1 Features 1• Internally Trimmed Offset Voltage: 1 mV (Max) • Input Offset Voltage Drift: 7 μV/°C (Typ) • Low Input Bias Current: 50 pA • Low Input Noise Current: 0.01 pA / √Hz • Wide Gain Bandwidth: 3 MHz (Min) • High Slew Rate: 10V/μs (Min) • Low Supply Current: 1.8 mA/Amplifier • High I 文件：3.20504 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412ACNSLASHNOPB	文件：3.20504 Mbytes Page：22 Pages	丝印：LF412ACN；Package：PDIP(P)；LF412-N Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 1 Features 1• Internally Trimmed Offset Voltage: 1 mV (Max) • Input Offset Voltage Drift: 7 μV/°C (Typ) • Low Input Bias Current: 50 pA • Low Input Noise Current: 0.01 pA / √Hz • Wide Gain Bandwidth: 3 MHz (Min) • High Slew Rate: 10V/μs (Min) • Low Supply Current: 1.8 mA/Amplifier • High I 文件：3.20504 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412ACNSLASHNOPB.B	文件：3.20504 Mbytes Page：22 Pages	丝印：LF412ACN；Package：PDIP(P)；LF412-N Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 1 Features 1• Internally Trimmed Offset Voltage: 1 mV (Max) • Input Offset Voltage Drift: 7 μV/°C (Typ) • Low Input Bias Current: 50 pA • Low Input Noise Current: 0.01 pA / √Hz • Wide Gain Bandwidth: 3 MHz (Min) • High Slew Rate: 10V/μs (Min) • Low Supply Current: 1.8 mA/Amplifier • High I 文件：3.20504 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412ACNSLASHNOPBG4	文件：3.20504 Mbytes Page：22 Pages	丝印：LF412ACN；Package：PDIP(P)；LF412-N Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 1 Features 1• Internally Trimmed Offset Voltage: 1 mV (Max) • Input Offset Voltage Drift: 7 μV/°C (Typ) • Low Input Bias Current: 50 pA • Low Input Noise Current: 0.01 pA / √Hz • Wide Gain Bandwidth: 3 MHz (Min) • High Slew Rate: 10V/μs (Min) • Low Supply Current: 1.8 mA/Amplifier • High I 文件：3.20504 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412ACNSLASHNOPBG4.B	文件：3.20504 Mbytes Page：22 Pages	丝印：LF412ACN；Package：PDIP(P)；LF412-N Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 1 Features 1• Internally Trimmed Offset Voltage: 1 mV (Max) • Input Offset Voltage Drift: 7 μV/°C (Typ) • Low Input Bias Current: 50 pA • Low Input Noise Current: 0.01 pA / √Hz • Wide Gain Bandwidth: 3 MHz (Min) • High Slew Rate: 10V/μs (Min) • Low Supply Current: 1.8 mA/Amplifier • High I 文件：3.20504 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
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详细参数

型号：
LF412ACN
功能描述：
运算放大器 - 运放
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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