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LF356N	文件：250.11 Kbytes Page：14 Pages	WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS DESCRIPTION These circuits are monolithic J-FET input operational amplifiers incorporating well matched, high voltage J-FET on the same chip with standard bipolar transistors. This amplifiers feature low input bias and offset currents, low input offset voltage and input offset voltage drift,coup 文件：250.11 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
LF356N	文件：1.07929 Mbytes Page：23 Pages	JFET Input Operational Amplifiers 文件：1.07929 Mbytes 页数：23 Pages	NSC 国半	NSC
LF356N	文件：543.17 Kbytes Page：15 Pages	Series Monolithic JFET Input Operational Amplifiers 文件：543.17 Kbytes 页数：15 Pages	NSC 国半	NSC
LF356N	文件：2.37666 Mbytes Page：43 Pages	JFET Input Operational Amplifiers 文件：2.37666 Mbytes 页数：43 Pages	TI 德州仪器	TI
LF356N	文件：2.11476 Mbytes Page：32 Pages	JFET Input Operational Amplifiers 文件：2.11476 Mbytes 页数：32 Pages	TI 德州仪器	TI
LF356N	文件：2.11476 Mbytes Page：32 Pages	LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357 JFET Input Operational Amplifiers 文件：2.11476 Mbytes 页数：32 Pages	TI 德州仪器	TI
LF356N/NOPB	文件：2.10242 Mbytes Page：47 Pages	丝印：LF356N；Package：PDIP(P)；LFx5x JFET Input Operational Amplifiers 1 Features 1• Advantages – Replace Expensive Hybrid and Module FET Op Amps – Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling Compared With MOSFET Input Devices – Excellent for Low Noise Applications Using Either High or Low Source Impedance—Very Low 1/f Corner – Offset Adjust Does Not Degrade D 文件：2.10242 Mbytes 页数：47 Pages	TI 德州仪器	TI
LF356N/NOPB.B	文件：2.10242 Mbytes Page：47 Pages	丝印：LF356N；Package：PDIP(P)；LFx5x JFET Input Operational Amplifiers 1 Features 1• Advantages – Replace Expensive Hybrid and Module FET Op Amps – Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling Compared With MOSFET Input Devices – Excellent for Low Noise Applications Using Either High or Low Source Impedance—Very Low 1/f Corner – Offset Adjust Does Not Degrade D 文件：2.10242 Mbytes 页数：47 Pages	TI 德州仪器	TI
LF356N/NOPBG4	文件：2.10242 Mbytes Page：47 Pages	丝印：LF356N；Package：PDIP(P)；LFx5x JFET Input Operational Amplifiers 1 Features 1• Advantages – Replace Expensive Hybrid and Module FET Op Amps – Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling Compared With MOSFET Input Devices – Excellent for Low Noise Applications Using Either High or Low Source Impedance—Very Low 1/f Corner – Offset Adjust Does Not Degrade D 文件：2.10242 Mbytes 页数：47 Pages	TI 德州仪器	TI
LF356N/NOPBG4.B	文件：2.10242 Mbytes Page：47 Pages	丝印：LF356N；Package：PDIP(P)；LFx5x JFET Input Operational Amplifiers 1 Features 1• Advantages – Replace Expensive Hybrid and Module FET Op Amps – Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling Compared With MOSFET Input Devices – Excellent for Low Noise Applications Using Either High or Low Source Impedance—Very Low 1/f Corner – Offset Adjust Does Not Degrade D 文件：2.10242 Mbytes 页数：47 Pages	TI 德州仪器	TI

替换型号

详细参数

型号：
LF356N
功能描述：
运算放大器 - 运放
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	LF356N	TI/德州仪器	25+	null	32360	TI/德州仪器全新特价LF356N即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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