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BL353P	文件：1.31673 Mbytes Page：3 Pages	35AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
BP353	文件：202.95 Kbytes Page：2 Pages	PRESS-FITBOSCHDIODES	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BP-353	文件：58.74 Kbytes Page：1 Pages	BP-3533PSTN.O.,50Amps,115/200VAC,400Hz	MACOM Tyco Electronics	MACOM
BUZ353	文件：181.11 Kbytes Page：6 Pages	mainratings SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmode)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BUZ353	文件：348.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
CGY353	文件：126.59 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
CH353	文件：230.94 Kbytes Page：14 Pages	PCIPrintChip	WCHJiangsu Qinheng Co. , Ltd. 南京沁恒江苏沁恒股份有限公司	WCH
CH353L	文件：230.94 Kbytes Page：14 Pages	PCIPrintChip	WCHJiangsu Qinheng Co. , Ltd. 南京沁恒江苏沁恒股份有限公司	WCH
CP353V	文件：71.09 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistorsNPN-HighCurrentTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize66x66MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea7.9x7.9MILS Emitter1BondingPadArea7.9x9.5MILS Emitter2BondingPadArea7.9x9.5MILS TopSideMetalizationAl-Si-30,000Å BackSideMetalizatio	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPE-353	文件：233.45 Kbytes Page：5 Pages	piezoaudioindicators	CUI CUI Inc.	CUI
CPE-353	文件：320.91 Kbytes Page：3 Pages	PIEZOBUZZERINDICATOR FEATURES •wireleadswithpanel-mounttabs •12Vdcrating •2.8kHzratedfrequencyslowpulse	CUID CUI Devices	CUID
CPE-353	文件：345.51 Kbytes Page：3 Pages	PIEZOBUZZERINDICATOR FEATURES •wireleadswithpanel-mounttabs •12Vdcrating •2.8kHzratedfrequencyslowpulse	CUI CUI Inc.	CUI
CPE-353A	文件：529.61 Kbytes Page：3 Pages	PIEZOBUZZERINDICATOR FEATURES •wireleadswithpanel-mounttabs •12Vdcrating •88dB •2.8kHzratedfrequencyslowpulse	CUI CUI Inc.	CUI
CPE-353A	文件：504.52 Kbytes Page：3 Pages	PIEZOBUZZERINDICATOR FEATURES •wireleadswithpanel-mounttabs •12Vdcrating •88dB •2.8kHzratedfrequencyslowpulse	CUID CUI Devices	CUID
CPE-353A	文件：221.18 Kbytes Page：4 Pages	piezoaudioindicators	CUI CUI Inc.	CUI
CR353	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUMPNPTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
CTSPWF-353-D	文件：180.7 Kbytes Page：2 Pages	PowerTransformers-StandardEDual115V	CTCentral Technologies 中基科技中基科技（香港）有限公司	CT
CTSPWF-353-S	文件：180.25 Kbytes Page：2 Pages	PowerTransformers-StandardESingle115V	CTCentral Technologies 中基科技中基科技（香港）有限公司	CT
DD353	文件：29.86 Kbytes Page：2 Pages	35AGLASSPASSIVATEDDISHTYPEPRESS-FITDIODE Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●LowLeakage ●LowCost ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop ●C-BandTerminalConstruction	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
DD353	文件：32.56 Kbytes Page：2 Pages	35AGLASSPASSIVATEDDISHTYPEPRESS-FITDIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

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详细参数

型号：
LF353DT
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual Wideband JFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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详细参数

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